Phương trình đặc trưng cho FF cấu trúc từ cổng NAND
A.

B.

C. S = R.Q
D. Tất cả các phương án
Phương trình đặc trưng cho FF – D:
A. Qn+1 = Dn+5
B. Qn+1 = Dn+3
C. Qn+1 = Dn+4
D. Qn+1 = Dn+2
Lớp tiếp xúc PN (PN-thuận) Khi có điện trường ngoài Eng ngược chiều với điện trường Etr’ làm cho:
A. Vùng nghèo thu hẹp lại
B. Một đáp án khác
C. Vùng nghèo giữ nguyên
D. Vùng nghèo mở rộng ra
Bộ cộng nửa là bộ cộng……
A. Thay đổi trạng thái của các bit có trọng số thấp hơn trước nó
B. Lưu trữ giá trị tổng Si và giá trị nhớ Ci
C. Không lưu trữ giá trị nhớ
D. Lưu trữ giá trị nhớ Ci
Hãy chỉ ra phát biểu đúng?
A. Bù 2 của một số nhị phân bù 1 là chính số đó
B. Bù 1 của một số nhị phân bù 2 là chính số đó
C. Bù 2 của số nhị phân bù 2 là chính số đó
D. Bù 2 của một số nhị phân là chính số đó